半導(dǎo)體真空晶圓退火爐

產(chǎn)品型號(hào)：Huace-800G

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

所在地：北京市

更新日期：2026-04-02

產(chǎn)品簡介：

華測(cè)儀器Huace-800G半導(dǎo)體真空晶圓退火爐

價(jià)格僅供參考，如需獲取更詳盡的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書、定制方案或應(yīng)用案例，歡迎致電我司技術(shù)工程師

Huace-800G半導(dǎo)體真空晶圓退火爐由華測(cè)儀器生產(chǎn)，是在真空環(huán)境下，對(duì)半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行高溫?zé)崽幚淼脑O(shè)備，主要用于消除應(yīng)力、優(yōu)化材料結(jié)構(gòu)、增加電學(xué)性能。華測(cè)儀器經(jīng)過多年研發(fā)，推出了采用高準(zhǔn)度、高反射率拋物面搭配高性能加熱源的解決方案，在升降溫過程中仍能保持穩(wěn)定均勻的溫度場(chǎng)，可實(shí)現(xiàn)寬范圍均熱區(qū)、高速加熱與高速降溫。樣品由石英管保護(hù)，無氣氛污染，更適合半導(dǎo)體工藝使用。

產(chǎn)品參數(shù)

產(chǎn)品型號(hào)：Huace-800G/Huace-1200G/Huace-1450G

產(chǎn)品尺寸：6寸晶圓或150 x 150mm產(chǎn)品

溫度范圍：RT ~ 800/1200/1450°C

升溫速度：＜100℃/s可編程（此溫度不含載盤的升溫速度）

      ＜25℃/s（SiC載盤）

溫度均勻度：±5 °C ≤ 500 ℃

±1 % > 500 ℃

溫度控制重復(fù)性：±1 °C

溫控方式：PID 溫控

應(yīng)用領(lǐng)域

電子材料

半導(dǎo)體用硅化合化的PRA(加熱后急速降溫)；

陶瓷與無機(jī)材料

陶瓷基板退火爐；

鋼鐵和金屬材料

爐焊接模擬；

其他

溫度梯度爐；