半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)

產(chǎn)品型號(hào)：HC-TSDC

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

所在地：北京市

更新日期：2026-02-06

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)

價(jià)格僅供參考，如需獲取更詳盡的產(chǎn)品技術(shù)規(guī)格書、定制方案或應(yīng)用案例，歡迎致電我司技術(shù)工程師

半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)由華測(cè)儀器生產(chǎn)，用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。TSDC是一種研究電荷存儲(chǔ)特性的試驗(yàn)技術(shù)，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫。

產(chǎn)品參數(shù)

溫度范圍：-100~300°C

控溫精度：±0.25°C

升溫斜率：10℃/min（可設(shè)定）

測(cè)試頻率：電壓上限：±10kV

加熱方式：空氣加熱

降溫方式：液氮

樣品尺寸：φ≤50mm，d≤3mm

電極材料：黃銅

夾具輔助材料：99氧化鋁陶瓷/peek

低溫制冷：液氮

測(cè)試功能：TSDC

數(shù)據(jù)傳輸：RS-232

支持的硬件

1.多核高性能處理器

2.集成打印接口，可擴(kuò)充8個(gè)USB接口

3.支持16g內(nèi)存，250g固態(tài)硬盤

其他測(cè)試功能

熱釋電測(cè)試

漏電流測(cè)試

用戶定義激勵(lì)波形

應(yīng)用領(lǐng)域

材料研發(fā)與性能評(píng)估：介電材料研究、絕緣材料評(píng)估、半導(dǎo)體材料分析；

電子元器件與封裝技術(shù)：元器件可靠性測(cè)試、封裝材料選擇、封裝工藝優(yōu)化；

電力與能源領(lǐng)域：電力設(shè)備絕緣監(jiān)測(cè)、儲(chǔ)能材料研究；

其他領(lǐng)域：生物分子材料研究、環(huán)境監(jiān)測(cè)與保護(hù)；

在材料研發(fā)、電子元器件與封裝技術(shù)、電力與能源領(lǐng)域以及其他多個(gè)領(lǐng)域都具有普遍的應(yīng)用前景；隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，TSDC測(cè)試系統(tǒng)將在更多領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。